封装：to92 极性：npn 主要参数：60v，0.15a，400mw，8mhz，hfe=200～400 对管：a1015 主要参数： symbol符号 parameter 参数 value数值 units单位 vcbo collector-base voltage 集电极-基极电压 60 v vceo collector-emitter voltage 集电极-射极电压 50 v vebo emitter-base voltage 射极-基极电压 5 v ic collector current 集电极电流 150 ma ib base current 基极电流 50 ma pc collector power dissipation 耗散功率 400 mw tj junction temperature 结温 125 ℃ tstg storage temperature 贮藏温度 -55 ~ 150 ℃ 电参数： symbol 符号 parameter 参数 test condition 测试条件 min. 小 typ. 平均 max. 大 units 单位 icbo collector cut-off current 集电极截止电流 vcb=60v, ie=0 - - 0.1 μa iebo emitter cut-off current 射极截止电流 veb=5v, ic=0 - - 0.1 μa hfe1 hfe2 dc current gain直流电流增益 vce=6v, ic=2ma vce=6v, ic=150ma 70 25 - 700 - vce(sat) collector-emitter saturation voltage集电极-发射极饱和电压 ic=100ma, ib=10ma - 0.1 0.25 v vbe (sat) base-emitter saturation voltage 基极-射极饱和电压 ic=100ma, ib=10ma - - 1.0 v ft current gain bandwidth product 电流增益带宽 vce=10v, ic=1ma 80 - - mhz cob output capacitance输出电容 vcb=10v, ie=0, f=1mhz - 2.0 3.0 pf nf noise figure 噪声系数 vce=6v, ic=0.1ma rs=10kω, f=1hz - 1.0 3.0 db 放大倍数表示： 后缀符号 o y gr l 放大倍数 70-140 120-240 200-400 350-700